空间分辨的深能级的检测与研究

建立了半导体中缺陷观察的电子束感生电流及阴极荧光形貌象法，开展了砷化镓、氮化镓及磷化镓等材料中的晶体缺陷及其空间分布的直接检测与研究，揭示了镓外延片中的镶嵌结构等并研究了他们的电学性质与发光性质的关系。建立了电子扫描与激光扫描的深能级瞬态谱技术与热激电流谱技术，开展了高阻半导体中缺陷深能级的测量与分析工作，发现空间生长半绝缘砷化镓中深能级的浓度比地面生长的有大幅度降低。研究了中子辐照高阻硅中的深能级特性及其与退火行为的关系，用团簇向空位转化的机制解释了它的反退火行为。探索了杂质对高阻硅中辐照缺陷的“加固”作用。首次发现了中子辐照高阻硅中的负阻效应。