用于VLSI的热氮化SiO2新型优质薄栅特性的研究

基本信息
批准号:69076434
项目类别:面上项目
资助金额:4.50
负责人:陈蒲生
学科分类:
依托单位:华南理工大学
批准年份:1990
结题年份:1993
起止时间:1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:陈斗南,李观启,郑学仁,董长江,杨炳良,刘志宏,何汉翔
关键词:
陷阱特性快速热氮化界面态
结项摘要

应用理论分析、数值计算和实验的方法研究了非均匀介质的涨落效应和非局部效应。建立了综合反映涨落效应和非局部效应以及它们耦合作用的细观力学模型-对偶团簇模型及其扩展形式;并揭示了非线性演化系统(群体位错)涨落诱导无序-有序转变的动力学机制;研究了涨落效应和非局部效应对非均匀介质系统有效性能和应力强度因子表征的影响,建立了基于细观力学的二阶应变梯度本构关系。本项目的研究成果对于非经典及统计连续介质力学和细观力学的发展具有一定的理论意义,对于许多工程非均匀介质如:复合材料、混凝土、岩体和多孔介质中的断裂、变形局部化和应力集中问题等具有实际应用价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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