用反应离化团簇束沉积法外延生长GaN晶体膜,用多种离子注入进行n型和p型掺杂,选择合适的掺杂剂,经快速热退火制成p-n结,试剂兰色发光二极管,研究薄膜组分、组织、半导体电性和发光特性与离子束合成和掺杂工艺参数的关系。选择最优化技术条件,探索采用全离子束技术制备GaN兰色发光的激光器件的可能性,深入研究与这相关的物理机制和规律问题。
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数据更新时间:2023-05-31
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