等离子体显示器复合介质保护膜制备及其特性研究

目前有关等离子体显示器复合介质保护膜的研究仅限于对不同元素掺杂介质保护膜的放电特性研究，缺少对掺杂改变放电特性机理的研究，尤其是关于老炼对介质保护膜放电特性影响机理的研究尚未见报道。针对上述现状，本项目拟系统研究对MgO介质保护膜掺杂不同族元素，研究介质保护膜的微观结构与价带顶部低结合能对介质保护膜放电特性的影响；同时研究老炼过程中介质保护膜表面形貌、截面微观结构以及价带顶部低结合能的演变与放电特性的关系，阐述老炼改善介质保护膜放电特性的机制。本项目的完成将提出复合介质保护膜的掺杂改性机理，为掺杂元素与掺杂含量的选取提供理论支持；同时将阐明老炼改善介质保护膜放电特性的机制，为老炼工艺的优化提供理论指导与实验基础。

在针对提高等离子显示器工作效率、延长使用寿命的研究中，有关等离子显示器复合介质保护膜的研究通常仅限于不同掺杂元素介质保护膜放电特性的研究，缺少掺杂元素对改变放电特性机理的研究。基于ZnO纳米线层对MgO薄膜生长形貌的影响，本项目提出并制备了MgO/ZnO纳米线新型复合介质保护膜，研究了薄膜表面形貌和微观结构对放电特性的影响机理，讨论了表面形貌及微观结构改变对表面二次电子发射系数的影响，研究表明，当ZnO纳米线越细长致密，MgO薄膜表面形貌最优，在MgO微观结构基本不变的情况下，可以有效提高表面二次电子发射系数，降低着火电压。同时,基于引入电子发射尖端提高表面二次电子发射系数。本项目提出MgO/Ag纳米颗粒新型复合介质保护膜，通过研究薄膜表面形貌和微观结构，讨论了金属纳米颗粒相对表面二次电子发射系数的影响，研究结果表明，Ag少量掺杂时，表面形成的若干金属纳米颗粒可以有效提高表面二次电子发射系数，降低着火电压。此外，本项目进一步制备研究了掺杂ZnO第二相的MgO复合介质保护薄膜，分析了不同Zn掺杂含量的Mg-Zn-O复合介质保护膜表面形貌和微观结构的变化，提出合适含量的低带隙第二相ZnO的引入可以改善介质保护膜的微观结构同时，相比于前两类新型复合介质保护膜可以在更大程度上提高表面二次电子发射系数，降低其着火电压和维持电压。实验结果表明在Zn含量为0.75%时，获得最低着火电压和维持电压、最高存储系数的复合介质保护膜。