离子缺陷掺杂提高Bi2223银包带材磁通钉扎性能的研究

基本信息
批准号:50372051
项目类别:面上项目
资助金额:23.00
负责人:蒲明华
学科分类:
依托单位:西南交通大学
批准年份:2003
结题年份:2006
起止时间:2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朱晓彤,郑伟范,王庆阳,曹中胜
关键词:
磁通钉扎Bi2223银包带材离子缺陷掺杂
结项摘要

本项目利用高度织构化的Bi2223银包多层芯带材,研究适量离子缺陷掺杂对带材的合成、临界电流、磁通钉扎特性和磁通涡旋运动的影响,探讨超导层内掺杂离子产生超导电性上的离子缺陷的机理以及离子缺陷对磁通钉扎的作用机制。其研究结果可为高温超导体中的磁通钉扎研究提供新的研究思路和技术参考,也可为Bi系带材的实用化研究提供技术储备。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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