非极性GaN基材料的表面各向异性研究

基本信息
批准号:60876068
项目类别:面上项目
资助金额:14.00
负责人:闫发旺
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2008
结题年份:2009
起止时间:2009-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:曾一平,周子超,姚然,张会肖,孙莉莉,高海永
关键词:
表面各向异性非极性GaN稀磁半导体极化效应MOCVD
结项摘要

非极性GaN基材料的外延生长及其光电特性研究是引人注目的前沿研究领域。由于可以避免因极化效应而产生的内建电场,增加载流子的辐射复合几率,提高发光器件的发光效率,非极性GaN基材料在新型的紫外/蓝/绿发光二极管、光电探测器和激光器等领域有着重要而广泛的应用。本课题拟深入系统地开展r面蓝宝石衬底上高质量的非极性GaN材料、p型Mg掺杂GaN、稀磁GaN:Mn材料以及非极性InGaN/GaN量子阱等材料的表面形貌、晶体结构、电学特性、光学特性和磁学特性等各种物性的表面各向异性研究,采用理论分析和实验相结合的方法揭示其内在的物理机理。研究新材料体系的新结构、新性质以及新的器件性能是解决科学前沿问题的重要基础,因此本课题的开展将对高质量的非极性GaN基材料的外延生长、新型非极性GaN基光电器件应用、新型高温稀磁非极性GaN基材料的制备和器件应用等诸多方面提供重要而坚实的物理基础,并产生深远的影响。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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