新型半导体清洗技术

随着半导体工艺线宽进入45纳米水的表面张力对线条产生的伤害（粘连，倒伏和脱落）已经到了工艺无法接受的地步。2005年底无张力液体二氧化碳清洗技术被写入国际半导体发展路线图中（ITRS），2007年底掩模版也被定为二氧化碳超临界流体清洗的发展目标。现在美国日本和欧洲都开发出了相应的设备，CMOS电路的二氧化碳清洗技术已进入到实用前的评价阶段。二氧化碳超临界流体清洗是利用二氧化碳最易于气液转换并进入超临界态的物理性质来实现清洗提纯和绿色重复使用的，清洗成本低廉。二氧化碳清洗媒体是一种弱酸性介质和半导体酸性工艺有很好的结合，在纳米沟槽清洗，铜互连，纳米管内部镀膜，超临界氢氟酸刻蚀等方面取得了举世瞩目的成绩。二氧化碳干冰刻蚀，低温气溶胶和干冰的固态升华都已在半导体行业中显示出卓越的实绩。本项目瞄准国际近期热点研究二氧化碳超临界流体对硅片的清洗技术抓住此次技术变革的契机从新的起点上比肩行业国际巨头。