离子束外延法生长半导体性β－FeSi2薄膜的研究
基本信息
结项摘要
用带有质量分离的低能离子束外延技术在超高真空环境中在Si（111）衬底上生长了β—FeSi2外延薄膜。研究了衬底的预处理，Fe（+）离子能量，衬底温度，薄膜热处理及膜厚等因素对薄膜晶体结构的影响。RHEED，X光衍射，AES及XPS结果表明，在最佳工艺条件下可得到膜厚达1000A（。），有较好晶全质量和正化学比的β—FeSi2外延薄膜。光学测量表明薄膜为Eg≈0.84eV的直接带半导体，电学测量表明薄膜为P型，室温电阻率约6×10（-2）Ωcm，空穴浓度约3×10（18）cm（-3），空穴迁移率约40cm（-2）V（-1）S（-1）。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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