ＭＣＺ法生长SixGe1-x单晶研究

利用自行研制的永磁环形磁场直拉炉制造微重力环境生长了掺锗硅单晶。掺锗量（原子比）从1-15%，可稳定生长直径60mm无位错单晶。当锗浓度≥15%时，无位错生长困难。利用SR/100CX射线衍射，二次离子质谱，XPS光电子谱等手段研究了锗—硅晶体质量。发现用CZ法、专用热生长系统，慢拉速，适当炉室压力，可以稳定生长锗浓度≤15%的单晶。初步确定了CZ生长晶休整 锗的有效分凝系数及硅中锗的存在状态（替位态）。得出了掺锗有利于提高硅晶体的机械强度，并抑制热施主新施主的产生，提高硅的热稳定性，掺锗有利于硅中氧沉淀均匀分布。首次证实氧沉淀过程中，锗即不作为沉演的成核中心，沉淀中也不包含锗。