化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进

宽禁带半导体碳化硅等，在发展高频、高温及高功率器件有着诱人的前景，备受重视。对其缺陷与物性关系的研究极为重要。正电子湮没技术恰好是研究缺陷行为的最佳手段。此类研究国内外均为初期工作。本课题用多普勒能谱及改变样品温度研究其缺陷及微结构，处理后变化与制备条件及其物性的联系。慢正电子束装置改进及增加变稳系统使之更适于本研究。