宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究

宽禁带半导体异质结具有非常高的二维电子气密度、高峰值饱和电子迁移速度、高击穿电压、耐高温等特性,对宽禁带半导体器件的噪声机理研究，研制低噪声、高动态范围、高温工作和高输出功率的微波器件有着重要意义。由于缺乏噪声产生机理和准确的噪声参量模型，宽禁带半导体低噪声器件的研究和建模在国际上仍处于探索阶段。本项目在长期研究宽禁带半导体器件与电路特性和应用的基础上，提出从异质结的二维电子气特性和输运机理出发，解析噪声机理的方法，探索器件结构对噪声特性的影响;并提出利用支持向量机对GaN HEMTs噪声特性进行建模, 该模型不仅可以快速而准确地预测器件的噪声特性，还可以快速优化材料特性和器件结构。本项目的研究成果可以深入研究宽禁带半导体器件在低噪声领域的应用潜力，为设计和制作高性能低噪声器件提供技术支持，对提高现代电子系统的可靠性和集成度有着重要意义。