AlGaN/GaN超晶格材料生长及其子带间跃迁机理研究
基本信息
批准号：60476021
项目类别：面上项目
资助金额：27.00
负责人：张书明
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄永箴,刘宗顺,刘卫,刘素英,李德尧,孙钱,黄勇,王海,史永生
关键词：
高速光调制器极化效应AlGaN/GaN超晶格子带间跃迁
结项摘要
该课题属于氮化镓基半导体材料与器件领域世界性前沿的课题，基于氮化镓基AlGaN/GaN超晶格结构子带间跃迁弛豫时间短和光吸收波长可以达到1.55微米光通信波段的特点，研究AlGaN/GaN超晶格结构生长及其子带间跃迁的机理，探索其在高速光调制器等光电子器件等领域的应用。重点研究具有极化效应的AlGaN/GaN超晶格的能带和材料结构的设计方法；研究高Al组分的AlGaN/GaN的生长技术，应力控制技术和获得原子级粗糙度的界面以及高浓度掺杂的生长技术；研究AlGaN/GaN超晶格的结构、电学和光学特性的测试分析技术；通过测量光吸收的特性，研究AlGaN/GaN超晶格的子带跃迁机理和非线性光学特性。最终生长出高质量的用于光通信讯波段1.55微米子带间跃迁吸收的AlGaN/GaN超晶格结构，提出其在高速光调制器方面应用的解决方案。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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