Fe(16)N(2)薄膜的合成及其磁性研究

我们采用离子束辅助沉积工艺、在衬底选择、生长温度及N/Fe到达比等工艺条件的优化试验后得到了Fe16N2膜。衬底选择对Fe16N2的形成至关重要，我们采用的GaAS和Si单晶与Fe16N2的晶格失配度分别为1.5%及5.1%。XRD表明，在GaAs上生长的Fe16N2“纯度”比Si上的高，对此晶格匹配问题在磁学界似尚乏共识。N/Fe到达比的确定也是关键，XRD表明只有N/F e0.12的膜得到Fe16N2，对此正化学比问题在Fe-N系研究中也少有人关注。接近正化学比的膜的饱和磁化强度由VSM及FMR均已作了测量，其值（24.5kGs）比单晶单相膜小～15%，但比纯铁大～17%，VSM还表明正化学比的Fe16N2膜具有较高的矩形比（0.796），由此说明Fe16N2膜可望成为一种新型磁记录材料。