高密度铁电不挥发存储器用Bi4-xLaxTi3O12薄膜尺寸效应研究
基本信息
批准号：90207025
项目类别：重大研究计划
资助金额：30.00
负责人：胡广达
学科分类：
依托单位：济南大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：范素华,任艳霞,韩龙,唐晓娟
关键词：
Bi4xLaxTi3O12薄尺寸效应高密度铁电不挥发
结项摘要
拟系统研究影响Bi4-xLaxTi3O12铁电薄膜宏观电学性能的尺寸效应。利用以导电-压电双重Ｊ焦ぷ鞯脑恿ο晕⒕迪低常芯科湮⒐勐┑缁坪统虢峁梗剿饔跋炱涑叽缧вΦ母髦忠蛩亍Ｍü谋浠Ъ屏勘群筒捎貌煌缂峁沟陌旆ɡ匆种瞥叽缧вΑＵ页雎愀呙芏忍绮换臃⒋娲⑵饔τ玫腂i4-xLaxTi3O12薄膜的最佳厚度，晶粒尺寸，化学计量比，以及电极峁埂?.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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