体硅微机械惯性传感器与CMOS电路单芯片集成技术研究

微机械惯性传感器在惯性导航，工业控制，汽车、消费类电子产品等多个领域有着广泛的应用前景。本项研究提出了采用普通单晶硅衬底实现CMOS电路同体硅微机械惯性传感器机械结构集成的PostCMOS工艺方案，不但得到厚度达80um的体硅惯性器件，而且减小寄生效应，可以实现高性能集成体硅惯性传感器的批量加工。同时提出了机电一体化寄生效应分析和噪声模拟技术，并利用仿真软件ISE对有源器件温度退化效应进行模拟分析，从而通过优化设计进行补偿，为高性能集成体硅惯性传感器的设计提供了量化方法。本项研究的开展将推动我国MEMS集成化技术研究，为建立我国自主的微型惯性传感器批量加工能力铺平道路,具有重大的科学意义和显著的应用价值。