新型高亮度1.3μm InAs/ GaAs量子点锥形激光器及其相应物理机制的探索

高亮度的激光光源对于非线性的光学倍频和自由空间通信等方面有着广泛的应用，其中具有锥形增益区和脊型波导的锥形激光器，由于制作简单，容易重复且成本低而具有较好的发展前景。传统的锥形激光器基本都采用量子阱材料，量子点激光器和量子阱激光器相比具有低的阈值电流密度和高的温度稳定性等优点，所以采用量子点材料作为有源区预计能够大大改善器件的性能。采用InAs/GaAs 量子点材料作为有源区来制作1.3μm高亮度锥形激光器，在国际上还未见报道。本课题在理论是建立一套自洽的激光器特性模拟程序，使之能完全模拟激光器工作时的电学、光学、热学特性，用于指导结构设计，并结合实验结果进行物理分析；实验上探索湿法氧化方法来制备脊形波导，并不断地改进器件制备工艺，制作出高性能的器件，并且完善器件测试系统。该课题的研究对我国科学技术和光通信事业的发展，提升我国的自主创新能力和在国际上的竞争能力有重要意义。