甚高频阵列式容性耦合等离子体源的放电特性及均匀性研究

甚高频容性耦合等离子体源(VHF-CCPs)是日益受到人们重视的一种薄膜生长和刻蚀技术，但是现有的VHF-CCPs由于电磁效应仍难以均匀处理直径超过米级的衬底。我们首次提出将小面积容性耦合等离子体源以并联方式组合成大面积CCPs，并从实验和理论上对大面积阵列式VHF-CCPs的放电特性以及等离子体均匀性进行研究。一方面，通过对单极板CCP等离子体特性研究，建立电极板结构与激发频率之间的依赖关系，提出一个基本的等离子体阻抗模型，为确定阵列式大面积CCPs的网络匹配参数提供依据；另一方面，将阐明阵列式电极板的结构形态、相对位置和宏观参量等对等离子体的产生和行为的影响规律，找到其与均匀的薄膜生长或刻蚀的内在联系，为大面积均匀的薄膜生长和刻蚀给出仪据。该项目的实施将有助于发展我国拥有自主知识产权的大尺度等离子体处理技术，具有重要的科学意义和应用目标。