掺杂对纳米SiC复介电常数频散效应的影响

研究掺杂元素、掺杂方法、掺杂工艺、掺杂量对纳米SiC复介电常数和频散效应的影响。一般认为复介电材料的介电常数虽然随温度变化较大，但随频率的变化很小。但是我们在研究纳米SiC雷达波吸收剂过程中却发现，经过N掺杂后，纳米SiC复介电常数在2～18GHz范围内有明显的频散效应，18GHz时其复介电常数的实部、虚部只有2GHz时60～70％左右。在很窄频率范围内，SiC出现这样大频散效应不仅此前未见报道，也无法对此进行合理的解释。这一现象可能与掺杂后在SiC晶格中形成的带电点缺陷、颗粒的纳米尺寸以及微观结构的变化有关，需对纳米SiC进行系统的掺杂研究，揭示复介电常数产生频散效应的微观机理，突破已往对复介电常数与频率之间关系的泛泛认识,找出复介电常数与频率之间的本质联系。通过上述研究，还可以有目的地增大纳米SiC吸收剂的频散效应，使其吸波性能产生质的飞跃，从根本上解决纳米SiC吸波效果不理想的难题。