极低阈值电流垂直腔面发射半导体激光器研究

(1)为降低垂直腔面发射半导体激光器（简称VCSELs）P区DBR的电阻，从而降低其电压，功耗，温升，以及光损耗，提出采用Pd/Sb(Mn)非合金欧姆接触薄膜取代大部分DBR对的设想，研究了不同膜厚，组分和退火温度下薄膜的反射谱和透射谱，求得了不同条件下的光学常数。（2）AlAs温氧化；在实验所用的水温，载气流量和反应温度下AlAs层的横向湿氧化速率-1.78μm/min；在第一次氧化后，在相同条件下进行第二次氧化后，氧化区宽度无明显变化，但颜色兰移，这表明氧化层折射率小和厚度收缩。显微拉曼测量结果也证明了这一点。（3）对梯形截面掩理结构VSCELs的横膜控制问题进行分析和计算。得出了在特定的注入电流范围内实现单基横模的最佳限制区倾角。