低场、大磁熵变合金材料的研究

本项目由结构低矿氧化物的磁卡效应的及钙钛矿氧化物单晶的制备与巨磁电阻效应二部份所组成。主要制新点如下：研究了铖金属（Na,K）等离子对释土离子的代换所引起的居里点与磁熵变的变化；在Nd1/2,Sr1/2MnO3以Pr1/2Sr1/2MnO3化合物的电荷有序化一级相变点（160k）发现在1T低磁场下可产生7.1-7.5J/kg.k的磁熵变，其值比在熵同磁场下的金属钇大2.3倍；在双钙钛矿化合物hia1-6Ca1.4Mn2O中国发现大磁熵变。采用助熵剂法，制备了高质量，大尺寸（1.1×0.7×0.4Cm(3)）的RoTPba3MnO3单晶体，其中R=La,Nd,Pr)，研究了生长条件对晶体的影响。发现Nd0.7Pbc3MnO3单晶体的导电行为不同于多晶体，是现半导体—金属—半导体型转变，单晶体的磁电阻比多晶高4倍。