UV－UHV／CVD法SiGe/Si选区原子层外延研究
基本信息
批准号：69746001
项目类别：专项基金项目
资助金额：10.00
负责人：余金中
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1997
结题年份：2000
起止时间：1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王启明,朱家廉,成步文,于卓,司俊杰,罗丽萍,张春晖
关键词：
紫外光超高真空CVD原子层外延光电子学
结项摘要
SiGe/Si异质结构在光电领域中正在崛起，将在光子器件和未来的光子集成中起重要作用。SiGe生长技术研究具有深刻的物理内涵和潜在的应用价值。本课题在SiGe/Si异质结构的生长、性能测试、生长机理分析等科学问题上有创新，首次报导高低温交替生长技术生长低位错密度弛豫SiGe虚衬底，外延层位错密度仅为2×10（5）cm-2。这是目前国内最好水平，在弛豫Si0。76gE0。24衬底上成功地生长了5个周期的应变Si/弛豫Si0.76Ge0.24Ⅱ型多量子阱,在低温PL谱中,观察到分别限制在应变Si层中的电子和弛Si0.76GE0.24层中的空穴辐射复合的NP和TO峰.围绕这一课题开展大量的创新性研究工作。有关GeSi的生长方法和机理的报道得到国际同行的认可和好评。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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