提出并基本上确立了一个处理太赫强电场作用下半导体非线性输运和光吸收的新的理论模型。这个模型包括任意阶的多光子过程和各种散射机制,采用与时间无关的计算,求解动量和能量平衡方程,就可以得到强高频场中的光吸收、热电子输运和磁输运的主要信息。基于这组方程我们对三维及低维半导体与太赫电磁场的互作用进行了广泛的理论研究,解释了二维半导体中辐照所引起的传导电流抑制、电子温度升高和能量弛豫共振;发现多光子磁声子共振及非线性吸收系数在太赫频段出现峰值。此外,我们还对超晶格微带输运的时空畴及负有效质量太赫振荡器进行了详细的数值模拟。研究结果发表SCI论文14篇,专著一本。
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数据更新时间:2023-05-31
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