可控成分NiTi记忆合金薄膜相变过程及记忆性能的研究

利用HCD法，通过控制镀膜的工艺参数和Ni与Ti的原料配比，可方便地、迅速地获得所需成分和厚度的记忆合金薄膜。提出了NiTi薄膜的晶化理论和晶化方法，以及基板种类、基板温度和热处理对iT记忆合金薄膜晶化的影响。探明了iT记忆合金薄膜的组织和相结构，以及膜的表层和内层的结构差异和产生的原因。同时在E下观察到iT记忆合金薄膜中马氏体相随温度升降而消失的动态特性。掌握了热循环法从使玻璃基板上剥离的iT记忆合金薄膜的技术以及利用双离子法减薄膜的技术。对于热处理和热循环对iT记忆合金薄膜的组织，相结构和相变点的影响有了规律性的认识先后共发表6篇论文，其中二篇在美国召一的SMT‘97国际会议上发表，培养两名硕士研究生和一名博士生。