像素碘化汞探测器的性能研究

基本信息
批准号:10775083
项目类别:面上项目
资助金额:38.00
负责人:李元景
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张岚,邓智,朱维彬,毛绍基,李树伟,罗丛,郑晓翠
关键词:
像素碘化汞单极性敏感位置灵敏
结项摘要

碘化汞半导体探测器比碲锌镉具有更高的探测效率,更高的能量分辨率,更好的低能射线分辨能力,更均匀的晶体特性,可工作于 -20oC到60oC的环境中。它的研究始于上个世纪初,并在近20年内取得显著进展,成为成功出现在商业市场上的三个化合物半导体探测器之一(另两个是CdTe和CdZnTe)。除用于国防和环境安全等传统的核辐射探测领域,在商业,医学成像及空间物理等方面有着更广泛的应用,长远发展前景和巨大经济潜力。在中国,这方面的研究工作还停留在起步阶段。我们的项目是针对具有位置灵敏特性的像素结构的碘化汞探测器,从实验和理论模拟计算等方面深入细致地研究它作为辐射探测器的各种性能特点。除利用pixel结构的小像素效应,使其γ谱能量分辨率大幅度提高外,同时还将详尽分析和测定其温度稳定性能,耐辐射能力,极化效应等。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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