硅基光波导调制技术及其光开关阵列的研究

基于大截面单模脊形波导条件，全内反射和等离子体色散效应，通过结构参数和工艺参数的设计和全内反射与无间距定向耦合1×2或2×2开关单元的优化，采用硅MOS常规工艺和注氧隔离（SIMOX SOI）材料的外延工艺，已在注氧隔离材料上研制出1×4和4×4光波导电光调节器制开关阵列。在测试波长为1.3微的条件下，通过半导体激光器的单模光纤的端焦耦合的光信号输入，红外变像管和双踪示波器对模式特性和光场分布的监测，采用电光调制技术，测得的SOI光波导开关阵列的性能指标如下：插入损耗为8分贝，波导传输损耗为每厘米0.57分贝，串音为一18分贝，调制电流为150毫安，调制电压为2.8伏，调制频率为1.2兆赫兹。