重氮掺杂III-V族半导体光电性质的研究
基本信息
批准号：60276002
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：郑健生
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：林之融,吕毅军
关键词：
杂质和缺陷IIIV族半导体发光
结项摘要
重氮掺杂Ⅲ—V族半导体GaPN、GaAsN是近年来倍受瞩目的新型光电材料。本项目将采用多种实验技术如光致发光、激光谱，拉曼散射瞬态过程分析，结合流体静压技术研究材料的带边电子态，振动光谱和电声耦合作用。结合GaP掺N的研究成果进行系统研究，有助于揭示带隙弯曲等异常光电性质。对探讨发光基本物理问题和促进半导体材料的发展有实际意义。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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