托卡马克中垂直不稳定性与高能逃逸电子合效应及晕电流研究
基本信息
批准号：10775041
项目类别：面上项目
资助金额：36.00
负责人：宋先瑛
学科分类：
依托单位：核工业西南物理研究院
批准年份：2007
结题年份：2010
起止时间：2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杨进蔚,林士耀,张轶泼,袁国梁,李旭
关键词：
逃逸电子X射线CCD相机垂直位移事件(VDE)晕电流
结项摘要
相对于圆截面而言,非圆截面托卡马克可获得更好的能量钓束和更大的等离子体电流。但等离子体在垂直方向上被外加磁场拉长时,时常发生垂直位移事件(VDE)引起垂直不稳定性。虽然由反馈控制提供的外加径向磁场可抑制垂直不稳定性,但常常因为等离子体参数的快速变化或存在强烈的等离子体扰动,使得对VDE控制的失败。VDE与逃逸电子的合效应对第一壁或其上的部件可造成致命损害,因此成为磁约束热核聚变堆目前最热门的研究课题。HL-2A和EAST均属带有偏滤器的托卡马克,偏滤器中的磁场对等离子体有垂直拉长作用。根据磁探针测量信号经计算,HL-2A装置k值可达1.5,有迹象表明:因垂直不稳定性造成的大破裂过程中,逃逸电子流对上偏滤器肩部器壁的损伤,是最终导致HL-2A器壁熔融穿孔的主要原因。垂直不稳定性还可能产生晕电流(Halo Current),此电流与纵向磁场作用产生垂直于器壁表面的强力,对器壁造成严重破坏。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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