随机系统的最优过程控制
基本信息
结项摘要
研究了与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料在600℃以上开始失序。对该材料进行光子吸收诱导失序（PAID）技术的研究，得到最大达186meV的荧光峰蓝移。理论分析了连续激光辐照的热分布及由其导致PAID空间分辨率极限为100μm左右，表明PAID不宜用于光子集成（PIC）和光电子集成（OEIC）。在改变退火方案后，采用离子注入辅以退火的杂质诱导失序技术（IID），光荧光谱峰的加宽和电导率的增大表明光电性能有所退化；采用镀SiO2膜并快速退火的无杂质空位扩散（IFVD）技术，得到有一定重复性的约50nm的荧光峰值蓝移。研究表明，在量子阱混迭技术中，IFVD是最有希望应用于PIC和OEIC的，这是在对以上三种方案的理论与实验的比较中所得出的初步结论。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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