由POSS制备纳米孔洞IC低介电材料研究

本文以高分子为模板，设计合成出一系列功能POSS单体和分子水平均匀分散的POSS高分子，采用二阶甚至多阶零次反应动力学进行材料制备、高温固化，实现材料中纳米孔洞大小、分布及均匀性的有效控制，采用各种现代光谱和材料表征技术对材料分子组成，宏观结构和介电性能进行详细表征，并探讨了分子微观组成—宏观结构—材料性能间关系。