SOI材料中隐埋纳米空腔层的形成及其吸杂效应
基本信息
批准号：69906005
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：12.40
负责人：张苗
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：宋志棠,陈莉芝,多新中,黄继颇
关键词：
SOI纳米空腔吸杂
结项摘要
探索氢、氦离子注入与退火在SOI中形成纳米空腔层的技术，采用二次离子质谱、透射电镜⒙缱愉蚊稹⒙１成⑸涞认冉侄危谝唬钊胙芯壳狻⒑だ胱幼⑷隨OI中纳米气泡与空腔的形成规律、微结构、物理机制及其对表层硅膜的影响；第二，利用纳米空腔对SOI牧隙ゲ愎柚械墓山鹗粼又式形饩鯯OI材料中过渡金属去除的难题。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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