薄膜沉积中的相转换与高压结构相变

本项目的工作要是研究薄膜沉积过程中的相转变。主要研究了立方氮化硼薄膜沉积中的相转变，用两种方法制备了立方氮化硼薄膜，第一种方法得到基板温度与基板偏压为轴的相图，相图中给出了六角相氮化硼、立方相氮化硼和混合相氮化硼生长的条件和范围，指出了立方相氮化硼的生长条件为负偏压是直流负压180伏，温度是490C（0）。第二种方法制备出内应力接近无应力的立方氮化硼，为消除普遍存在的内应力大、附着力差的问题找出了新路，给具有多种优异功能的高性能材料立方氮化硼的开发应用创造了条件。本工作还研究了氮化铝和TiO2膜沉积过程中的相转变，发现在纳米（100nm）厚度范围内能隙宽度的可调控制性，为制备理想隙宽的纳米半导体材料提供了实际可行的途径。