用声波和光谱研究微弧等离子体氧化过程

基本信息
批准号:10275020
项目类别:面上项目
资助金额:36.00
负责人:沈丽如
学科分类:
依托单位:核工业西南物理研究院
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:唐德礼,刘成林,尚振魁,蒲世豪
关键词:
微弧氧化微弧等离子体氧化膜
结项摘要

微孤氧化技术是在阳极氧化的基础上综合利用等离子体化学、电化学、热化学在材料表面形成氧化层的一项新技术。本项目利用声波频谱和光谱研究微孤氧化中微孤等离子体的放电状态对氧化膜结构性能的影响,获得微孤氧化涂层生长的基本规律,为微孤氧化技术的推广应用开发奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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