半导体量子点的单光子发射与Rabi振荡的研究
基本信息
批准号：10344002
项目类别：专项基金项目
资助金额：10.00
负责人：王取泉
学科分类：
依托单位：武汉大学
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王取泉,薛其坤,刘正猷,张平,蔡伟伟,王健
关键词：
量子态相干操纵。半导体量子点单光子发射Rabi振荡
结项摘要
研究单个InGaAs自组织量子点的单光子发射非经典统计特性；改善其光发射的空间分布特性并研究其单光子发射的时间响应特性和激子的复合寿命；重点研究共振pi脉冲对提高单光子的产生效率和信噪比的作用，从而得到性能较好的单光子发射源。观测其Rabi振荡，并研究Rabi振荡衰减的机制；从而实现低衰减、超快响应速度的量子比特旋转。此项目的研究在量子信息处理和量子计算领域具有十分重要的意义，有助于了解和认识半导
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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