多孔硅的形成与光学性质的研究

基本信息
批准号:59372108
项目类别:面上项目
资助金额:7.00
负责人:方容川
学科分类:
依托单位:中国科学技术大学
批准年份:1993
结题年份:1996
起止时间:1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:方容川,马玉蓉,王冠中,张纪法,李清山,李庆红,杨风源,崔景彪,李鹏
关键词:
带隙态多孔硅发光带隙
结项摘要

研究了多孔硅,激光染料/多孔硅镶嵌复合体以及金属/多孔硅接触的形成过程,光学性质,皮秒发光衰减动力学,输运和光电特性。主要结果:1.多孔硅形成初级阶段的电流I-电压V测量显示:在单晶硅/电解液界面形成一电偶层,它决定了多孔硅的形成和宏观性质;2.氧化可以显著地提高多孔硅发光强度及抗老化能力,多孔硅中的Si-O-Si键与蓝光发射密切相关;3.皮秒发光衰减观察到带间跃迁的单指数过程,而红光和蓝光发射的衰减规不同;4.激光染料/多孔硅复合体的发光强度和时间响应都大为改善,复合体的发光是受到孔径尺寸限制的染料单分子的发光;5.利用多孔硅的界面效应,制作了特殊结构的金属/多孔硅接触结构,显著地提高了光电转换效率。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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