基于IC工艺的集成RF薄膜变压器研究

针对电感和信号变压器难以集成的技术难点，通过对基于IC工艺的、带磁性夹层的高频薄膜变压器的研制，带动薄膜变压器的理论、设计和集成化制备技术的发展，掌握射频波段薄膜变换器特性传输特性的测试技术，研制出射频薄膜变换器样品。.本项研究着重解决半导体工艺与微波铁磁薄膜工艺的兼容性工艺问题，解决磁性器件不能集成化的难题。在测试技术上，解决200MHz～3GHz频带上薄膜变压器传输性能的测试方法和技术。在样品研制方面，所研制的在200 MHz～500MHz频带范围下工作的薄膜变压器，其信号传输系数≥0.80；所研制的在500MHz～3GHz频带范围下工作的薄膜变压器，其信号传输系数≥0.60。.通过本项目的研究实现薄膜电感器和信号变压器的平面化和集成化，使该类器件实现小型化、轻量化、一致性好、高稳定性和高可靠性，同时推动RF SOC技术的发展。