硅基宏孔光辅助电化学快速腐蚀机理研究

PS宏孔的快速腐蚀在高深宽比微结构和三维多基板连接通孔的低成本制作中有良好的应用潜力。本项目率先开展硅基PS宏孔的光辅助电化学快速腐蚀机理研究,创新性地采用阻抗谱（Impedance Spectroscopy）分析法，探讨硅基（n型硅中阻和高阻）光电化学快速成孔过程中的诸多没有定论的问题，如 深入探索PS宏孔形成过程中赫尔姆兹双电层电势降、电解液的氧化力和钝化力、宏孔瓶颈的扩散势垒效应及宏孔尖端电场的差异化分布等因素的作用，揭示该过程的新现象和新机理，提取快速孔腐蚀相关的关键参数，建立更为完善、更为准确的硅基PS宏孔快速成孔机理和模型，并探索其他半导体材料上类似现象及其机理。本项目的研究对于实现可控的PS宏孔快速成孔技术具有重要意义，将为高性能微纳机电系统及其与IC的三维互连提供一种可靠的且低成本的制造手段。