半导体压力传感器温度特性的研究

研究半导体压力传感器的温度特性。提高传感器的工作温度，降低传感器的温度系数。采用二氧化硅介质膜隔离代替Pn结隔离，多晶硅作应变电阻。研究多晶硅掺杂浓度对传感器温度特性的影响，优化了最佳掺杂浓度。采用微机械技术制作硅杯，研究了解决了各向异性腐蚀中的削角补偿现象。对复合膜的电学特性和热力学特性进行了研究。研制出性能良好的多晶硅高温压力传感器，工作温度可达250℃，温度系数比单晶硅压力传感器降低了一个数量级，压力量程为1-6MPa。较好地完成了预期计划。其研究成果达到国际先进、国内领先。在国内外学术会议和刊物上发表相关的学术论文共9篇。研究成果不但具有重要的学术价值，而且有广泛的应用前景。