铒硅纳米线的制备技术和光电特性研究

采用激光烧蚀和高温退火的自组织生长方法在硅基底上制备出定向生长的、大面积分布的铒硅纳米线，在此基础上采用电子束和光学混合曝光技术、湿法腐蚀或等离子体干法刻蚀技术制备出金属接触电极，探索铒硅纳米线的光致发光和电致发光的现象和机制，研究其在光波导方面的应用以及工艺和外场条件对光电特性的影响，同时通过四探针纳米电学特性测试系统研究其电学特性，探索纳米线作为分子电子器件的可能性。此外，研究可控的纳米线生长技术和图形化衬底对纳米线生长的影响。本项目的研究将取得纳米线生长和光电特性测试的关键技术，形成我国自己的知识产权，为纳米线发光器件和纳米线光波导的实际应用以及硅基光电集成技术的深入发展奠定坚实的基础。