新型半导体正电子慢化器的研制

用正电子湮没方法测量和计算了正电子迁移率，得到在砷化镓中的迁移率比硅中大，研究了半导体中的功函数，用溅射方法在半导体表面镀钨层，作为加电场慢化体希望能利高慢化效率，但实验测量发现其提高是非常有限的，究其原因是由于半导体和金属这间存在界面效应，经四百度退火未能进一步提高慢化效率。故和设有所合作研究加速器慢正电子束。为普及和提高国内正电子湮没研究，在出版基金和科学基金的共同资助下完成42万字的正电子专业书一本。发表论文9篇，另4篇在整理中。制作了拉伸样品室和高压样品室，主办了全国正电子湮没学术会议被选为专业组主任。把正电子湮没应用于固体物理教学，培养了学生。