氮化镓基发光器件的电学频率特性

对以GaN基材料为主的各种发光二极管和激光二极管的正向交流电特性以及与发光的关系进行较精确的实验和理论研究，将重点放在负电容现象及其物理机制的定量化工作方面，还将研究负电容现象对调制、脉冲和开关线路的可能影响。氮化镓基发光器件的研究已经成为当前的热点，其正向交流特性的研究在理论和实际应用中都有十分重要的价值。然而由于半个世纪以来一直缺乏对二极管正向交流电特性测量的表观数据的正确解读方法,使以往类似的工作都难以深入.我们在这方面已经作了很多前期工作。我们发现，二极管正向交流特性的实部分量和虚部分量总是紧密相连的，必须同时测量和一并计算，我们在各种发光器件中都发现了由发光引起的十分可观的负电容现象,在GaN基器件中还发现了具有非线性电阻和电容的界面层，他们严重地影响了器件的频率特性.本项目涉及了半导体器件物理中一些基本问题,也与半导体发光器件的实际应用密切相关.