回旋离子束及其与CVD金刚石膜表面作用机理研究

利用非对称磁镜场ECR等离子体源产生回旋离子束。利用微波在最大镜比为2.4的非对称磁镜场中产生ECR微波等离子体，采用磁电加热等方式提高离子温度到20-40eV，以此增大离子垂直于磁场方向的速度，从而增大离子的磁矩。利用纵向加速电极促进ECR等离子体中被加热的离子向强磁场区运动，并通过纵向加速电极的作用将处于逸出锥角外的离子输运到逸出锥角上，再根据在磁镜场离子磁矩是寝渐不变量的原理在强磁场区得到回旋离子束。研究离子温度、纵向加速电极工作参数对回旋离子束通量及径向分布均匀性的影响。.将上述研究中得到的回旋离子束作用于CVD金刚石膜表面，研究回旋离子束与CVD金刚石膜表面的作用机理，研究离子反应阈能、样品温度对刻蚀效率的影响，研究离子纵横向能量之比对回旋离子和CVD金刚石膜表面碳原子的选择性作用的影响，探讨回旋离子束的选择性刻蚀在材料表面处理、特别是在CVD金刚石膜表面抛光中的机理。