HMGB1/TLR4/TRAM途径:脑缺血炎症损伤的新机制

基本信息
批准号:30870859
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:杨清武
学科分类:
依托单位:中国人民解放军第三军医大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨清武,王景周,张莉莉,向静,段朝霞,钟琪
关键词:
炎症反应TRAMHMGB1脑梗死TLR4
结项摘要

炎症反应在脑缺血继发性损伤中起重要作用,但目前对其机制认识仍然有限。我们发现:TLR4在脑缺血炎症损伤中具有重要作用,但并不清楚与之作用的配体及其下游的信号途径。有研究显示脑缺血致坏死的神经元产生的HMGB1可激活小胶质细胞诱发神经炎症反应,引起继发性神经损伤加重,而HMGB1又与TLR4存在相互作用,提示HMGB1可能作为TLR4的内源性配体而参与脑缺血炎症损伤的。我们又发现TLR4并非通过经典的MyD88依赖信号途径参与脑缺血损伤,而可能是通过TRAM信号途径起作用。为此提出HMGB1/TLR4/TRAM途径是脑缺血炎症损伤新机制的假说。因此,本项目拟进行:1)探讨HMGB1是否作为TLR4的配体参与脑缺血炎症损伤;2)明确是否通过TRAM信号途径起作用;3)利用已获得的TLR4拮抗肽观察其对脑缺血损伤的保护作用。以期揭示脑缺血炎性损伤发生之谜,为脑梗死的防治及药物靶点设计提供新思路。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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