用传统方法生长的晶体杂质离子浓度不均匀一直是有待觧决的难题,连续供料坩埚下降生长晶体的新方法为此而提出。故此我们建立了分别曲石墨和硅铜棒加热连续供料坩埚下降装置,设备能稳定可靠进行新方法研究。此方法首选研究对象LiVbO3是目前国际上普遍关注的非线性光学晶体,它的掺杂性能更引人注意,但它的同成分烙化点偏离化学计量比点,用传统48%mol配料(LiO2)得不到化学计量比LN单晶,其性能也远不如化学计量的晶体。而新方法是在能得到化学计量比的58%molLio2熔液中,用长出多少、化学计量比LN单晶加入多少化学计量比LN原料而得到化学计量比的单晶,测试结果表明其透过率和吸收边都向好的方式移动,从而证明我们的新方法是可行和优越的。
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数据更新时间:2023-05-31
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