双孢蘑菇性亲和性相关分子标记的筛选及遗传分析

首次提出用“低静态偏磁场法”产生单个的圆形或椭圆形的磁泡薄膜技术状畴（MBD）。MBD畴形的分形研究是分形几何方法在磁畴领域的首次应用。基于MBD畴形的特点，运用和发展了线结构维数Dline的计算方法，证实了在一定的范围内MBD畴形的确具有分形结构的特征，用Dline定量地描述了MBD的弯曲和分枝程度，并把Dline与MBD畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的形核联系了起来。进一步把分形几何方法应用于复杂磁畴畴形的分析，用计盒维数Dbox定量描述了NdFe10.5Mo1.5合金的复杂畴形，并用Dline和Dbox分段描述了Dy-NdFeB单晶畴形随其厚度t的变化，证实了其畴形从简单向复杂转变的临界厚度ts的存在。