有机共轭高分子的磁场取向和微图案化研究

有机共轭高分子具有优异的光电磁性质，因此可以作为传统的金属和无机半导体材料的替代物制备集成电路和微型光电子器件，而图案化是有机共轭高分子应用的基础。由于有机共轭高分子的一维性质，所以图案化的分子只有一维取向时才能宏观上体现其特异的光电磁各向异性。有机共轭高分子的图案化可以通过光刻、丝网印刷、喷墨打印、软刻蚀、界面分子组装等完成。然而，这些方法尚难在图案化中同时实现分子的一维取向。因此，上述图案化还不能有效地利用共轭高分子的固有的一维性质。本项目首先以低聚对苯体系为研究对象，通过调节基板表面磁感应强度分布的方法，阐明分子磁化率的各向异性和分子结晶尺寸在磁感应强度分布表面分子取向和图案化的影响，进一步探索磁场取向、图案化以及磁场取向中的图案化的机理，确定最佳磁场取向中的图案化的条件。最后,将这一研究结果推广到其它有机共轭高分子体系，为使其在新型有机光电子器件等领域得到新的应用奠定理论基础。