冲击电压下沿半导体表面闪络现象的研究
基本信息
批准号：50107008
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：21.00
负责人：张冠军
学科分类：
依托单位：西安交通大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：严璋,李仰平,姜惟,王晓蓉,胡龙龙
关键词：
沿面闪络半导体冲击电压
结项摘要
研究冲击电压下半导体材料在多种电介质中沿面闪络的光电现象，考察介质环境、电极接触.方式及半导体的表面态分布对其闪络特性的影响，探讨丝状载流子注入和二次电子发射与材.料表面带电特性以及闪络的起始机理和发展过程的关系，并建立不同条件下半导体沿面闪络.的物理模型。本项目旨在揭示新的物理现象，也有助于推进半导体器件在强电领域的应用。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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