高压下半磁半导体光学性质的研究
基本信息
批准号：59002457
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：3.50
负责人：姜山
学科分类：
依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
批准年份：1990
结题年份：1992
起止时间：1991-01-01 - 1992-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：沈学础,朱浩荣,居广林
关键词：
高压半磁半导体电子能带结构
结项摘要
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项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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