新结构SOI LIGBT器件的基础研究
基本信息
批准号：60306003
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：7.00
负责人：张海鹏
学科分类：
依托单位：杭州电子科技大学
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：楼向雄,王静,陈龙
关键词：
SOI漂移区减薄模型。LIGBT新结构
结项摘要
项目研究内容：研究漂移区减薄(DRT)的多沟道(MC)绝缘层上硅(SOI)横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）的新结构及其物理机理，包括建立与结构相对应的截止态泄漏电流模型、阻断电压模型与场控导通模型和通态压降模型、电流模型与场控关断模型；研究DRT MC SOI LIGBT的频率特性与其结构之间的关系；研究DRT MC SOI LIGBT的功耗和热传输特性；探索与硅CMOS VLSI工艺兼容的DR
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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