项目研究内容:研究漂移区减薄(DRT)的多沟道(MC)绝缘层上硅(SOI)横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)的新结构及其物理机理,包括建立与结构相对应的截止态泄漏电流模型、阻断电压模型与场控导通模型和通态压降模型、电流模型与场控关断模型;研究DRT MC SOI LIGBT的频率特性与其结构之间的关系;研究DRT MC SOI LIGBT的功耗和热传输特性;探索与硅CMOS VLSI工艺兼容的DR
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数据更新时间:2023-05-31
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