金刚石半导体材料电子性质研究

本项目采用密度泛函理论结合李群、李代数简化计算，用原子团簇方法研究金刚石宽带隙半导体的电子性质。主要内容为（1）表面电导机理的研究和（2）N-型掺杂机理的研究及其有效掺杂剂的探索。金刚石半导体器件在耐高温、耐辐射、超高速、大功率等方面比现有器件具有明显突出优点，但高温、高压苛刻制造条件限制了它几十年来的发展。1983年低温低压法生长薄膜成功，迅即形成了国际性"金刚石薄膜热"高潮并开始了相关器件的探索。但其发展过程明显受到了n-型材料电导率低和表面电导率难于控制两个关键因素的限制。因此，对这两个问题的研究具有深远意义，本项目的完成将对我国金刚石材料及其新型器件的开发作出贡献。