CuSCN薄膜的原位制备及其电存储特性的研究

针对CuSCN薄膜制备及应用领域所存在的不足，在前期的工作基础上，研究CuSCN薄膜在硫氰酸盐水溶液中的生长机制和成膜过程，分析各制备参数对薄膜结构形貌的影响，探索形成高品质、大面积CuSCN薄膜的制备工艺，并进一步研究该薄膜在柔性基底上成膜的条件。同时还研究CuSCN薄膜制备工艺对其电阻开关器件存储性能的影响，阐明器件的开关机制。本项目从理论上阐明CuSCN薄膜成膜机制，揭示有规律性的科学问题；应用上，通过工艺改进来实现CuSCN薄膜的大面积制备和批量化生产。对基于CuSCN薄膜器件的系统研究有望促进CuSCN薄膜在电存储器件的应用。

在前期工作的基础上，我们系统研究了CuSCN薄膜的制备和应用。通过将铜膜浸泡在硫氰酸盐溶液中，制备得到了多种形貌可控的CuSCN薄膜。制备并表征了大面积的CuSCN薄膜，该薄膜具有很高的均匀性。此外，我们还在塑料基底上制备了基于CuSCN薄膜的存储器件，这种器件具有高的可重复性和可弯曲性。还描述了基于CuSCN薄膜存储器的电阻开关机制。